MOS控制晶闸管相关论文
建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短......
本文对ＭＣＴ的核心工艺－三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。......
叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静，动态特性，目前水平，存在......
介绍了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的基本结构，工作原理。详细地探讨了MCT在关断情况下的建模，采用状态空间分析法推导出了MCT的......
本文基于MOS控制晶闸管(MCT)和0.22μF高压陶瓷电容,设计、制作了小型电容放电单元(CDU),并批量制备了微型爆炸箔芯片,分别采用硼/......
本文叙述了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺流程及实施方法.西安微电子研究所采用扩散、硅栅自对准工艺和多层介......
提出一种新型的MOS控制晶闸管结构DNMCT器件。该器件同MCT相比减弱了寄生JFET效应，并利用PISCES-IIB器件模拟软件验证DNMCT具有较好......
文章介绍了电力电子技术和功率半导体器件的发展,列举了三代功率半导体器件中典型的器件和各自的特点,并对比了它们之间的区别。大......
