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N~+共注入相关论文
氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质
本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O~+(200keV,1.8×10~(18)/cm~2)和N~+(180keV,4×10~(17)/cm~2)共注入、并经1200℃、2h退......
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