OMVPE相关论文
日本研究人员用 SEM 与 TEM 详细研究了低压OMVPE 法 GaAs 外延层的表面缺陷。外延层生长以GaAs 为基底,方向(100)±0.5°,生长温......
研究了低压 OMVPE 法 InGaAsP(λ=1.3μm)选择区域生长,并将它与 InP、InGaAs 和 InGaP 的选择生长特性进行了比较,发现在三种合......
在垂直旋转圆形ＯＭＶＰＥ外延炉里压力减小到０．２ａｔｍ下生长的ＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ的特性非常均匀。衬底旋转５００ｒ／ｍｉｎ，厚外延层均匀性是±１％。而３～１０ｎｍ厚的量子阱，其厚度的均匀性是±２％。铝......
用光致发光和 Hall 效应测量确定了用光助（氙灯）OMVPE 法在 GaAs 上生长 ZnSe外延层的特性,在照射条件下生长的非故意掺杂外延层具有......
近年来 ,有机金属气相外延 (OMVPE)技术已经成为高纯度半导体制备的最为广泛的方法。深入理解OMVPE的反应机制 ,对于OMVPE反应前体......
