P-SI相关论文
利用Sol Gel法制备了优质KTN陶瓷靶材 ,用PLD技术成功地在P Si(10 0 )衬底上沉积出了较纯净钙钛矿相 (>98% )的KTN薄膜 ,并对所制......
n-Si光阳极极化时,很容易生成绝缘的SiO_2层,导致光钝化。Bard A.J.和NozikA.J.等用导电的聚吡咯膜和聚苯胺膜保护后,n-Si光阳极......
对有机/无机光电探测器PTCDA/p-Si样品表面进行AFM测试,结果表明PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量......
p-Si薄膜在氢氟酸溶液中的电化学抛光是通过阳极溶解降低薄膜表面粗糙度。本文用线性扫描研究了在不同的氢氟酸浓度下的电化学行为......
据国外报道,日本东芝公司已开始批量生产10.4英寸(26cm)的UXGAP-Si工艺的薄膜晶体管液晶显示器。业内人士认为:这种技术的开发成......
p-Si薄膜在氢氟酸溶液中的电化学抛光是通过阳极溶解降低薄膜表面粗糙度.本文用线性扫描研究了在不同的氧氟酸浓度下的电化学行为,......
随着CIS等新型太阳电池的应用与普及,由新旧太阳电池构成的混合型太阳能光伏系统将会被应用,本研究对多晶硅以及薄膜CIS化合物两种......
The Cu/Co layer film on the sendconductor silicon was obtained by electrodeposition for the first time. The results of c......
对Ｐ－Ｓｉ上电沉积Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金薄膜在３％ＮａＣｌ、０．５ｍｏｌ·ｄｍ＾－３Ｈ２ＳＯ４、１ｍｏｌ·ｄｍ＾－３ＨＣｌ介质中的阳极溶解行为进行了研究，ＸＰＳ分析了钝化膜中各元素的化学价态和存在形式。结果表明，非晶......
用电容及电流DLTS方法测量了B~+、P~+离子注入掺硼p-Si中引进的空穴缺陷能级及其退火行为.在两种离子注入样品中都测到的空穴陷阱......
在N-Si和P-Si半导体上用化学沉积法制备了内场致发射电极并研究了它们的电化学行为。从分解电势Ⅰ～Ⅴ曲线可知,这种电极可在低于1.2......
采用化学镀的方法在组成为NiSO4·6H2O＋NaH2PO2·H2O＋Na3C6H5O7·H2O的化学镀液中与Pd活化的p型Si（100）表面制备了NiP薄膜......
本文从应用的角度,对p-Si TFT-LCD的显示驱动原理及驱动技术进行了阐述,得出其优势所在。
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