Ⅲ族氮化物中的氮化镓基半导体材料具有直接带隙，禁带宽度可调、电子饱和漂移速度高、击穿场强大、化合键能强，在高温、高频、高功率......

应用交流阻抗技术研究了12烷基硫醇自组装膜(SAM)修饰金电极在2 mmol/L Fe(CN)3- 6/Fe(CN)4-6溶液中的电化学行为. 无"针孔"缺陷的......

Ⅲ族氮化物,包括InN,GaN,AlN以及它们的合金。因为它们具有直接带隙结构,而且其带隙宽度从0.7eV到6.2eV连续可调,很适合用以制造固......

随着半导体研究水平和生产技术的迅速发展，为了提高集成度和电路的性能，晶体管的尺寸正在迅速减小。横向器件尺寸缩小，浅结构造和自对......