用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ......

用ＲＦ Ｐａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ材料，它的Ｘ射线衍射半峰宽为３３５秒，７７Ｋ下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，们错密度约为７．３&#......