采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的“Λ”形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.......

报道了在GaAs衬底上，采用δ掺杂GaAs／InGaAs双沟道结构，成功地研制出双沟道实空间转移晶体管（RSTT），它具有RSTT典型的“∧”型负阻，I-V特......

采用双沟道结构和GaAs衬底，成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管．它具有RSTT典型的“A”形负阻，V特性和较宽的平坦谷值区．通过栅......