制备ＭＦＩＳ存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的ＳＢＴ铁电薄膜，介质层一般选用ＺｒＯ２作为阻挡层，以克服电荷注入效应，改进器件的性能。在ＭＦＩＳ研制中，ＳＢＴ薄膜......