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提出了一种新型的SiCOI MESFET器件结构,即介质槽隔离SiCOI MESFET.模拟结果表明,新型结构器件与常规平面SiCOI MESFET器件相比,击......
提出了一种新的器件结构-SiCOI结构,即硅衬底上外延SiC制造MESFET器件,并建立了SiCOIMESFET器件结构与模型。使用ISE-TCAD二维器件......
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用二维器件仿真软件MEDICI对SiCOI(SiCon insulator)MESFET的击穿特性进行了研究，提出了一种新的SiCOI MESFET器件介质槽隔离结构，即......
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本文探索在SOI基片上通过顶层Si直接与碳源反应,反向外延生长3C-SiC薄膜的工艺条件和技术。采用LPCVD技术,以CH4和H2混合气体为反......
