【摘 要】
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用二维器件仿真软件MEDICI对SiCOI(SiCon insulator)MESFET的击穿特性进行了研究，提出了一种新的SiCOI MESFET器件介质槽隔离结构，即多台阶介质槽隔离结构，研究结果表明，与单介质
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用二维器件仿真软件MEDICI对SiCOI(SiCon insulator)MESFET的击穿特性进行了研究，提出了一种新的SiCOI MESFET器件介质槽隔离结构，即多台阶介质槽隔离结构，研究结果表明，与单介质槽隔离SiCOI MESFET相比，多台阶结构在保持高击穿电压的情况下，可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导，多台阶介质槽隔离SiCOI MESFET是一种兼顾高击穿电压和大电流的功率器件结构。
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