本文提出一种由Ｍ－ＳＳｃｈｏｔｔｋｙ结和ｐｎ结组成的ＧａＡｓＳＪＰＥＴ四端器件，对该器件原理进行了分析与讨论，并在实验室研制出了ＧａＡｓＳＪＦＥＴ四端器件．实验结果表明，该器件可通过上、下两......

本文提出一种由Ｍ－Ｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ结和ｐｎ结组成的ＧａＡｓ ＳＪＦＥＴ四端器件，对该器件原理进行了分析与讨论，并在实验室研制出了ＧａＡｓ ＳＪＦＥＴ四端器件，实验结果表明，该器件可通过上......