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本文提出一种由M-S Schottky结和pn结组成的GaAs SJFET四端器件,对该器件原理进行了分析与讨论,并在实验室研制出了GaAs SJFET四端器件,实验结果表明,该器件可通过上、下两个栅分别调控,实现器件阈值电压连续可调,该器件极易获得稳定,重复的E-和D-MESFET,可望在GaAs集成电路中得到应用。