We successfully used the metal mediated-wafer bonding technique in transferring the as-grown cubic GaN LED structure of ......

文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现，晶格失配导致......

利用ＺｅＣｌ准分子激光在（１００）Ｓｉ基片上原位淀积出ＺｒＯ＿２缓冲层和ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－ｘ）高Ｔ＿ｃ超导薄膜，薄膜的零电阻温度为８２Ｋ．Ｘ射线衍射结果表明该超导薄膜具有很强的ｃ轴取向的正交结构......

本文利用二维热流模型,计算了适于单片集成正装结构GaAlAs/GaAs激光器的热阻,讨论了各种参数对热阻的影响。此外,还采用正向压降法......