SI基相关论文
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)基片上直接制备了c轴一致取向的LSCO(La0.5S0.5CoO3)电极层和Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)铁电薄......
用导纳谱技术研究了两类Ｓｉ基量子阱样品基态子能级的性质．基于量子阱中载流子的热激发模型，从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空......
脉冲激光溅射技术作为一种强有力的高质量薄膜制备的有效方法，在新型结构和功能材料淀积合成中广泛应用。近年来，激光溅射C粒子辅助......
Discera Inc试制一种微型振荡器,这种微型振荡器将是市场上最小的多频振荡器。这种型号为MRO—100的微型振荡器是用来取代多石英......
各种Si基纳米发光材料在Si基光电子器件及其全Si光电子集成技术中具有潜在的应用前景,从理论和实验上对其电子结构进行研究,有助于......
仿真和实验研究了含槽型(slot)光波导的反馈波导型微环谐振器的特性,将槽型光波导集成到Si基微环谐振器中,丰富Si基光波导的功能,......
采用分子束外延MBE技术,在Si衬底上外延高质量的20周期SiGe/Si多量子阱(MQW)层;以SiGe/Si MQW材料作为吸收区,在Si基上制备波导型P......
用6MeV F离子束辐照了淀积在Si单晶基底上的Sb、Ag、Cu、Pd和Ni金属薄膜,并用胶带法对不同辐照剂量的各点进行了增强附着阈剂量的......
通过控制溶胶 凝胶 (sol gel)工艺条件 ,利用相应条件下样品的红外光谱 ,等温表面电位衰减 ,开路热刺激放电电流谱等 ,考察了Si基......
研究了一种新的表面增强拉曼活性Au基底的制备方法,采用无电镀沉积方法,通过HF和HAuCl4的混合溶液对Si片进行处理获得具有不同形貌......
设计并用低成本的0.5μm BCD（biplor,CMOS and DMOS）工艺实现了用于650nm塑料光纤（POF）通 信 的Si基单片集成光接收芯片,其中包含了与......
该文对(111)晶向Si衬底上GaN外延层的生长和Si基GaN紫外探测器进行了系统的研究,在材料生长和器悠扬的研制上都取得了一些有意义的......
该论文对硅基SiGeC合金体系材料的生长、表征和结构性质以及器件应用开展了深入系统的理论与实验的研究,主要结果有:1.建立、研究......
文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现，晶格失配导致......
中科院理化技术研究所开展NaZn13型LaFeSi基化合物的负热膨胀性能研究，成功研制出负热膨胀系数和负热膨胀温区可通过改变组成元素进......
Axxia4500是LSI基于ARM技术的首个通信处理器系列，为不断发展的应用识别网络等富有挑战性的企业和数据中心网络应用而设计。......
尝试了Si基上生长GaN外延层的一种新的缓冲层材料-阳极氧化铝.在Si(111)衬底上电子束蒸发铝膜,经阳极氧化后放入MOCVD系统中退火,......
本文阐述了Si基碲镉汞分子束外延(MBE)的最新研究进展。用晶向偏角降低高界面应变能的方法,摸索大失配体系中位错的抑制途径,寻找......
本发明公开了一种MnFePSi基室温磁制冷材料及其制备方法，其化学通式为：Mn1．2Fe0．8P1ySiyBz，式中0．4≤y≤0．55，0≤z≤0．05。制备方法如下：1）将M......
1 前言 金属熔体的粘度在其冶炼,精炼,铸造及凝固时起着重要作用,是弄清金属熔体流动性不可缺少的因素,是金属熔体微观结构内在规......
新型Nb—Si基超高温合金具有熔点高、密度适中、高温强度高等优点，较目前最先进的Ni基单晶高温合金仍有约200℃左右的温度优势，有潜......
热电材料是一种性能优越的环境友好型材料,它能够直接把电能和热能相互转化,是目前新技术能源材料领域的关键材料。Mg2Si基半导体......
期刊
报道了以Si(111)为衬底的GaN光导型紫钙探测器的制备及其光电流性质，探测器的光谱响应表明，这种GaN探测器在紫外波段250－360nm有近于......
For the chip integration of MEMS(micro-electromechanical system) safety and arming device, a miniature detonator needs t......
Santa Barbara研究中心(Goleta,CA)的研究人员已在CdZnTe/GaAs/Si衬底上制作出128×128象元的HgCdTe红外探测阵列(灵敏度在20～6......
Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,有望解决集成电路的集成度在日益提高时电互连带来的问题.在Si基光互连的关......
采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＤ）法在Ｓｉ（１００）衬底上淀积一层厚度约为１７０ｎｍ的富Ｇｅ高Ｃ含量的Ｓｉ、－ｘ－７ＧｅｘＣｙ薄膜，然后将其分别在８００℃和１１００℃下湿氧氧化２０ｍｉｎ。在室温下观测到强......
利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应，研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器．器件的平顶宽度为2nm，3dB......
铌-硅基合金（Nb-Si）具有较高的高温强度,在室温下具有一定的韧性,并且其熔点高、密度小,有望作为1200～1400℃温下工作的发动机叶片候......
南京电子器件研究所采用含有双AIGaN过渡层的材料结构在76．2mm（3英寸）Si绀底上外延生长了厚度超过2μm的AIGaN／GaNHEMT材料（图1），材料表而......
在正交设计的基础上,通过一系列工艺测试实验,研究了MEE外延温度、MEE退火温度、CdTe外延温度、CdTe退火温度对Si基复合衬底的两个......
Fe3Si 基于涂层被搏动的 Nd 在 Fe-1Si 钢表面上生产: 钇铝柘榴石(钇铝石榴石) 激光。它的阶段体质和微观结构被使用 X 光检查描绘......
利用热壁化学汽相沉积在Si基上生长GaN薄膜.用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)和......
si基激光器的探索是Si基光子学研究中的最富有挑战性的重大前沿课题，因此为全世界的科学家所瞩目和期待。最近，这一领域的研究取得了......
在当前大规模红外焦平面器件的研制中,高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料.衬底和外延材料的晶格失配导致......
Si基光电子集成(OEIC)光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究......
根据ESI基本科学指标数据库（Essential Science lndicators）近日公布的数据,我校工程学学科进入ESI世界前1%行列。全球共有1217所高......
以有机材料作为空穴传输层的Si/有机杂化太阳能电池由于其器件结构与制备工艺的不断优化,在短期内实现了理论探究与合成应用的快速......
微机械（MEMS）工艺和集成电路（IC）工艺中，在硅（Si）片上电铸高深宽比坡莫（NiFe）合金材料常出现脱落现象．提出了一种电铸NiFe合金材料的新方法，这......
分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜。利用扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和......
