SiC纳米晶须相关论文
纳米碳化硅晶须作为一维半导体,其光学性质一直受到关注.研究结果显示,在Ar+激光(514.5nm)激发下,纳米碳化硅晶须室温下发出极其强......
一种大量制备β-SiC纳米晶须的方法，属于纳米技术领域。本发明以二氧化硅粉和硅粉为主要原料，配料后，经高频感应加热发生硅热还原反应......
SiC陶瓷材料有着优良的物理力学性能，因而对该材料的研究一直受到人们的关注。分别对SiC纳米颗粒、SiC纳米晶须、SiC纳米涂层的研究......
介绍了制备SiC纳米晶须的方法,包括:固相碳源法(电弧放电,电阻加热蒸发,SiOx薄膜生长及CNTS受限反应法),液相碳源法(sol-gel),及气......
碳化硅(SIC)纳米晶须不仅维持SiC块体材料的宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子迁移率等特点,还由于小尺寸和低维效应,在......
介绍了使用碳纤维为固相碳源,无催化剂加入制备β-SiC纳米晶须的一种新方法.制备了直径为10～40nm,长度为几个微米的纯度较高的β-Si......
