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Si平坦化层相关论文
基于磁控溅射和ICP刻蚀的RB-SiC表面平坦化工艺
采用射频磁控溅射技术在RB-SiC表面沉积Si平坦化层,通过正交试验研究了射频功率、Ar流量和工作气压三个因素对薄膜表面质量和形貌......
期刊
光学制造
超光滑表面
射频磁控溅射
RB-SiC
Si平坦化层
正交试验
ICP刻蚀
表面粗糙度
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