TFEL相关论文
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本文利用弗朗兹-凯尔迪效应研究了TFEL器件发光层中的电场随外加电压的变化。用此方法算得的发光层中的电场同把器件各层当作只起......
本文采用了分层优化结构,用电子束蒸发的方法制备SrS:CeTFEL器件,获得了明亮的蓝绿发光,测量了发光亮度,传导电荷,发光效率等基本参量与驱动电压的......
我们已成功地发现了一种无潜象 TFEL 板的新结构,该显示板采用CaS 薄膜作为缓冲层,能减小亮度-电压特性的漂移,且与驱动方式无关。......
利用 Zn_2SiO_4:Mn 荧光粉薄膜和BaTiO_3绝缘陶瓷片制备出高亮度绿色发光TFEL 器件。当用频率为5kHz 的正弦电压驱动时,这种器件的......
本工作通过对新结构TFEL器件的Q-V曲线的分析,得到了新结构器件的等效电路图。该等效电路图也被器件的单向注入电荷与外加电压的关系曲线所......
在显示应用中如果把优秀的易读性作为一个重要指标,薄膜电致发光显示器(TFEL)则将变成一种颇有吸引力的显示器。现已将电池工作式TFEL作为商品......
采用基质混合的方法制备了新的TFEL材料ZnSXO1-X∶Ce3+ .在相同的Ce3+ 掺杂浓度下ZnSXO1-X∶Ce3+ EL亮度高于ZnS∶Ce3+ 一个量级以......
目前,平板技术在取代阴极射线管用作计算机的显示器方面取得了明显的进展。目前在市场上已可获得能够显示整页尺寸信息的,具有640......
众听周知,薄膜电致发光显示器(TFEL)具有非常好的可读性。其次,TFEL 还具有高对比度,快速响应,宽视角,均边图象和高分辨等特点。......
<正> 前言随着信息社会的发展,平板显示器成为人机对话的关键器件,其重要性日益增加。在各种平板显示器中,TFEL显示器有许多独特的......
我们已成功地发现了一种无潜象 TFEL 板的新结构,该显示板采用CaS 薄膜作为缓冲层,能减小亮度-电压特性的漂移,且与驱动方式无关。......
用射频溅射技术制备出 SrS∶Ce 荧光粉薄膜,并用这种溅射薄膜制备了蓝—绿发光TFEL 器件,经研究发现这种器件的亮度和效率与薄膜生......
<正> 众所周知,薄膜 EL 显示器具有许多优点,例如快速响应、宽视角、长寿命,利用光刻技术可获得高分辨率及功耗低等。但是,尽管人......
讨论了用多层 ZnS/SrS:Ce 的 acTFEL器件,用 ZnS 和 SrS:Ce 分9次交替地蒸发堆积构成,在60Hz,50μs 的脉冲激发下,蓝色发光的最高......
目前,平板技术在取代阴极射线管用作计算机的显示器方面取得了明显的进展。目前在市场上已可获得能够显示整页尺寸信息的,具有640&......
本文报道了发射白光的SrS:Ce,K,Eu薄膜电致发光(TFEL)器件,在1kHz驱动下其亮度达500cd/m~2。在5kHz的加速老化条件下稳定性超过400......
引言经过几年来的不断努力,薄膜电致发光显示器(TFEL)用的绿光和红光发射荧光粉在亮度和效率两方面都能满足实际应用的要求。尽管......
引言图1a和1b所示为单色和彩色薄膜电致发光(TFEL)显示器的器件结构图。图2为TFEL平板显示器的制作工艺流程图。屏的制备工艺主要......
最近开发的高亮度多色薄膜电致发光(TFEL)器件采用了各种氧化物荧光粉,并用较厚的BaTiO<sub>3</sub>陶瓷作绝缘体。例如,在5kHz驱动......
开发了一种具有黑层的高对比度 TFEL显示器。黑层结构的制备工艺与标准的有介质层器件的工艺相同,采用了反应磁控溅射技术。这种结......
新研制的9.3英寸多色TFEL显示屏具有320(×2)×400个象素,可以显示包括橙、浅橙、绿及其混合色在内的6种颜色,在频率为100......
<正> 引言单色薄膜电致发光(TFEL)已是一种成熟的技术,尤其是 ZnS:Mn 橙色发光器件。目前,人们正在致力于开发其它颜色的器件。对......
<正> 在大屏幕平板显示器中,液晶显示器占据了主导地位。但是,当将小型的液晶显示器用于模拟一实际显示时,却有许多问题需要解决。......
<正> 一、引言把掺稀土氟化物的 ZnS 薄膜(ZnS:ReF_3)作为薄膜电致发光(TFEL)器件有源层的想法是由 Kahng 提出的。以 ZnS:ReF_3为......
作为多色薄膜电致发光器件的有源层,人们对稀土掺杂碱土硫化物进行了深入的研究.特别是 CaS:Eu 和 SrS:Ce,它们分别是红和蓝色 EL ......
<正> 众听周知,薄膜电致发光显示器(TFEL)具有非常好的可读性。其次,TFEL 还具有高对比度,快速响应,宽视角,均边图象和高分辨等特......
<正> 在信息社会中,各种显示器的应用越来越广泛,成为传递信息的重要媒介。人们对显示器也有了更多的认识。在多种显示器中,包括历......
通过简化的三角势垒模型计算发现的第三代电致发光器件中,CdS层确定对提供初电子有利。用计入非晶效应的Monte Carlo方法进行模拟计算,证明非晶SiO2层......
研究非晶SiO2缺陷能级上电子的隧道效应,移植实验的XPS芯能级谱技术,用DV-Xα计算界面Sio2/ZnS的能带断错,认为该界面处的能带断错是电子加速的主要机制。......
研制了一种新型高效蓝色电致发光SrS:Cu荧光粉,改变共掺杂物,它的EL性能可以在很大的范围内变化,单掺杂时,SrS:Cu薄膜电致发光器件发青蓝色的光,色座标......
A novel ZnS:TmF3 TFEL device with the structure of ITO/SiO2/ ZnS:TmF3 /SiO2/ZnS:TmF3/SiO2/Al was prepared by e-beam evap......
研究了Ga^3+在SrS:Ce和SrGa2S4:Ce薄膜电致发光材料中的作用及其对Ce^3+发光特性的影响。......
采用RF溅射技术制备了SrGa2S4:Ce薄膜,并获得了发射波长为446nm的纯蓝色发光,其CIE色坐标为x=0.14,y=0.09,研究了SrGa2S4:Ce薄膜的激发谱和发射光谱,采用XRD测定了薄膜的晶体结构,采用SEM观......
本文利用桥式平衡电路及Sawyer-Towre电路系统地测量了薄膜电致发光(TFEL)器件的损耗电流波形,发光亮度波形及电荷电压回线.在实验......
介绍了蓝区无机薄膜电致发光材料的应用、电致发光器件的发光原理及结构类型,综述了蓝区无机薄膜电致发光材料的种类及其各自存在......