近年来,微晶硅(μc-Si:H)被认为是一种制作 TFT 的有前景的材料.采用PECVD法,在低于200℃时制作了微晶硅TFTs,其制作条件类似于非......

以硅作为衬底,以采用不同直流（DC）磁控溅射功率制备的ITZO薄膜作为有源层制备了薄膜晶体管（TFTs）器件.在溅射功率从80 W变化到160 W的......

近年来，微晶硅（μc-Si：H）被认为是一种制作TFT的有前景的材料。采用PECVD法，在低于200℃时制作了微晶硅TFTs，其制作条件类似于非晶态TFTs......

研究了柔性基板上的薄膜晶体管,使用IGZO作为有源层,栅极绝缘层采用NH 3等离子体和N 2O等离子体分别进行处理,研究器件性能变化。......