VARISTORS相关论文
Effects of Aluminum Doping on the Microstructure and Electrical Properties of ZnO-Pr6O11-Co3O4-MnCO3
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The microstructure and electrical properties of ZnO varistor ceramics with different ZrO2 content prepared by a solid re......
用固相反应法制备了RBaCo2O5+δ(R=Y、Dy、Gd、Pr、Nd、Sm和Eu)系列陶瓷.用标准四探针法测量了它们从室温到600℃之间的电阻率变化......
,Effects of barium on the nonlinear electrical characteristics and dielectric properties of SnO2-bas
The effects of barium on electrical and dielectric properties of the SnO2·Co2Oa.Ta2O5 varistor system sintered at 1250......
Influence of Ag doping on the microstructure and electrical properties of ZnO-Bi2O3-based varistor c
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
The electrical properties of (Nb, Li)-doped SnO2 ceramics as a new varistor material were investigated. The sample 97.95......
为了提高氧化锌压敏瓷的综合电性能,采用高能球磨制备Y_2O_3掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分......
Effects of Eu2O3 doping on microstructural and electronic properties of ZnO-Bi2O3-based varistor cer
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ZnO-based thick film varistors have been fabricated by Y2O3 doping and low-temperature sintering,of which the sample wit......
研究了一种制造低电电压氧化锌压敏电阻器的方法。在基本成分的基础上适当加入二氧化钛可降低梯度电压（Ｖ１ｍＡ／ｍｍ），适量掺硼和改进热处理工艺可......
提出一种低压氧化锌压敏电阻器的制造方法。研究了该电阻器的微观结构和导电机理。在五元配方的基础上加入ＴｉＯ２并用适当的工艺可制得性......
介绍一种压敏电阻器电气特性测量仪，本仪器在恒流状态下测量压敏电压，在恒压状态下测量漏电流，用积分比较式除法器测量压比，设计了一种......
ZnO环形压敏电阻器广泛应用于消除录音机的噪声．理论分析表明，在消除大能量噪声方面，突变型压敏电阻器优于缓变型；在消除小能量噪声时，......
Effects of Eu2O3 doping on microstructural and electronic properties of ZnO-Bi2O3-based varistor cer
ZnO Bi2O3-based varistor ceramics doped with Eu2O3in a range from 0 to 0.4%were obtained by high-energy ball milling and......
采用工频试验研究的方法对不同最大持续工作电压UC、不同压敏电压下的MOV施加工频电压。通过改变施加工频电压的幅值和预期短路电......
通过对样品密度、介电常数、I-V特性及晶界势垒特性的测定和分析,研究掺Y对(Y,Nb)掺杂的二氧化钛低压压敏-电容性能的影响.掺入x(Y......
采用高能球磨的方法制备了ZnO和添加物（MnO，Sb2O3，CoO，Cr2O3，Bi2O3）的前驱超细粉体．采用固相反应烧结技术在1140℃进行2h烧结制备出ZnO陶......
研究了ＺｎＯ玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响。发现玻璃料的添加量ｗ玻璃料一般在８．０％～１０．０％时效果最佳，Ｓｂ２Ｏ３的引入可生成Ｚｎ７Ｓｂｏ２Ｏ１２尖晶石相，抑......
通过对样品I-V特性和势垒高度等参数的测定，研究了钽对二氧化钛压敏电阻电学性能的影响。研究中发现掺入的x(Ta2O5)0.25％为的样品显......
通过对样品V－I特性和势垒特性的测试和分析，研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响。SnO2·Co2O3基本上不具有电学非线性，掺杂......
研究了掺锂对SnO2压敏电阻器性能的影响.研究发现Li+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度,且能大幅度改善材料的电学非......
研究了CuO对SnO2·MgO·Nb2O5压敏材料的密度，非线性特性，介电常数的影响。实验发现，适当掺杂CuO不仅能增大SnO2·MgO......
研究并分析了Ni^3+掺杂和Co^2+掺杂对SnO2压敏电阻致密度和电学非线性性能的影响。研究了掺Mn^2+对SnO2·Ni2O3·Nb2O5压......
研究了掺Ce对SnO2*Co2O3*Nb2O5压敏电阻器性能的影响.研究发现Ce4+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的致密度,掺入x(CeO2)为0.05的陶瓷......
通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了BaCO3对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.晶界势垒高度......
研究了（La，Nb）掺杂TiO2压敏陶瓷中第二相的转变及其对压敏性能的影响。采用实验方法研究了La2O3和Nb2O3的掺杂量及烧结温度对TiO2压敏......
采用不同的升温速度制备ZnO—Bi2O3压敏瓷，通过扫描电镜和X-射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析，探讨了升温速度对氧化锌压敏瓷......
研究了（La、Nb）共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相的形成机理。以锐钛矿TiO2、Nb2O5和La2O3氧化物粉体为原料，采用传统固相烧结工艺制备了（La、......
通过显微组织观察和电性能测试等研究了制备工艺和样品厚度对流延法制备单层方形ZnO-V2O5-Sb2O3（ZnVSb）基压敏电阻的影响。在流延基......
采用固相法制备Sc2O3掺杂ZnO压敏瓷，通过扫描电镜对其显微组织进行了分析，探讨了Sc2O3对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理。Sc2......
研究并分析了Ni3+掺杂和Co2+掺杂对SnO2压敏电阻致密度和电学非线性性能的影响.研究了掺Co3+对SnO2-Ni2Oa-Nb2O5压敏材料性能的影......
研究了一价碱金属离子掺杂对低压ＺｎＯ压敏陶瓷电学性能的影响规律，探讨了烧结温度、降温速度对其显微结构和电性能的影响，分析了添加剂驰......
在Nb2O5含量X为0．1～1．5％的范围内，研究了Nb2O5掺杂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响。发现x=0．7％的样品显示出最低的压敏电压（Eb=8．57V／mm）以及最高......
摘要研究了中压体系ZnO-V2O5-MnO2（ZVM）压敏电阻的微观组织和电学性能。结果表明，MnO2含量增加有利于细化ZVM陶瓷晶粒，改善电性能，提高......
采用两步烧结制备了Y2O3掺杂ZnO压敏瓷，其电位梯度为8631330V／mm，非线性系数为27．0～49．7，漏电流为0．55～1．13μA。研究结果表明，当Y2O3的掺杂量......
制备了ZnO一玻璃系压敏电阻．用SEM．TEM，Et’MA等微观分析手段研究TZnO-玻璃系压敏电阻的微观结构，相组成与元素分布。ZnO-玻璃系压敏电......
简述了我国压敏电阻器工业的发展过程，特别是20世纪90年代后期以来反取得的重大突破。提出了再用三到五年的时间使我国成为世界压敏......
利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的AlZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻。XRD和SEM测试结果表明，该压敏......
从材料设计的角度出发,比较了一般压敏陶瓷、电容器陶瓷与电容-压敏功能复合材料的异同.通过Nb2O5的施主掺杂控制材料的晶粒电阻率......
制作低压ＺｎＯ压敏电阻器的一般方法添加晶粒助长剂ＴｉＯ２。这样做虽然可降低梯度电压Ｖ１ｍＡ／ｎｍ，但同时也增大了漏电流ＩＬ。降低了元件的稳定性。在掺入ＴｉＯ２，使Ｖ１ｍＡ／ｍｍ下......
介绍了压敏电阻器和ＰＴＣＲ热敏电阻器的非热耦合组成应用，热耦合组合应用。对压敏热敏热耦合三端组件样品进行了测试，测试结果表明，压敏芯片......
压敏电阻器的生产工艺是影响产品质量的重要因素之一。通过试验，对生产工艺中，影响ＺｎＯ压敏电阻器直流老化性能的因素，如原材料细度、烧成......
从构成叠层压敏电阻器的生片材料（材料晶粒大小、生片厚度）、内电极材料、叠层结构和表面处理等方面，介绍叠层压敏电阻器的近期研制动......
用稀土离子Ｙ（３＋）、Ｌａ（３＋）对（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ３掺杂，以Ｂａ－Ｓｉ－Ａｌ玻璃为助熔剂，在１３５０～１４５０℃还原性气氛中烧成，获得工艺性能良好、烧结温度较低、晶粒电阻率低（１０（－２）Ω·ｃｍ）、非线性高（α达１０以......
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This paper reviews the history of ZnO varistor,discribes its properties and recenttechnological status and forecasts its......
