本文介绍基于VDMOS结构的浮栅MOS管存储机理核辐射探测器的基本概念，简要介绍了浮栅MOS管的结构设计、制作和测试。......

提出一种ＩＧＢＴ及周边电路（栅驱动电路、缓冲电路、主回路）综合一体的电荷控制模型，并用模型分析了栅驱动电阻ＲＧ、电容ＣＧＣ和ＣＧＳ、缓冲电容ＣＳ、电阻ＲＳ等对......

...

...

该变换器采用Buck型电路，以VDMOS管为功率开关器件，用第二代集成脉宽控制器SG3525控制，电路简单，性能优良，小型轻量，成本低廉，是车船电台......

本文主要介绍VDMOS管的制造工艺与结构，并将VDMOS管的特性与双极晶体管作比较，突出了VDMOS管在电子镇流器中作为开关管的优势，对VD－MOS......

在衡量半导体器件是否符合设计要求时,技术指标首先指器件直流电学性能,包括输出特性曲线和转移特性曲线,以及相应的电学参数。文......