ZnCdO相关论文
Ternary Zn1-xCdx O alloying films were deposited on silicon substrates by a reactive magnetron sputtering method.The str......
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ZnO是具有3.37 eV的宽禁带半导体材料,近年来引起了众多研究者的兴趣。Zn1-xCdxO和Zn1-xMgxO很好地实现了对ZnO能带的减小和增大。......
第三代半导体材料中的ZnO和GaN的禁带宽度都在3.4 eV左右，它们的发光波长在紫外波段，这个属性使得它们在半导体材料中处于不可取代的......
近年以来,为了获得ZnO基LED紫外电致发光,人们对能带带隙工程制备的ZnO垒层和阱层材料做了深入的研究。考虑到Cd和Zn均为+2价元素,......
