intermediate band (IB) photovoltaics have the potential to be highly efficient and cost effective solar cells.When the I......

通过求解经修正的二维泊松方程，并考虑了主要的短沟效应和高场效应，得到一个描述短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件Ｉ－Ｖ特性的统一物理模型。该模型适用于包括亚......

详细分析了适用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ设计的深亚微米ＢＳＩＭ２ ＭＯＳ器件模型，并在深入讨论短沟道ＭＯＳ器件物理效应的基础上，对沟道长１μｍ栅氧化层厚度２５ｎｍ的ｎＭＯＳＦＥＴ进行了测试和ＢＳＩＭ２模型参......

从数值解源端和饱和点的表面电势出发，考虑模拟电路对SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间......