现用于集成电路(IC)成品率预报及故障分析的缺陷模型均是用圆或正方形来代替真实缺陷的复杂轮廓进行近似建模的,从而在模型中引入......

位于美国科罗拉多州玻尔得的美国国家理工学院(National Institute of Technology,NIST)的研究人员开发成功一种片上"致冷器",可将......

作为季度关键补丁更新的一部分，甲骨文（Oracle）公司为其WebLogic Server修补了Apache插件程序里一个严重缺陷以及处理多于两打的其他......

本文对现有的ＩＣ制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较，得到了一些有意义的结果，该结果为进行有效的集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析提......

提出一种ＩＣ缺陷特征的提取算法，该算法能自动检测的ＩＣ缺陷的位置、在预处理阶段，利用形态开运算消除小缺陷和背景噪音，对开后的结果图像进......

Irradiation-induced atomic-scale defects and lattice disorder in Silicon Carbide(SiC) can significantly affect the mater......