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n-ZnOi-Al2O3p-GaN异质结构相关论文
间隔层厚度对n-ZnO/i-Al2O3/p-GaN异质结紫外电致发光的影响
ZnO 是一种宽禁带(3.37 eV)半导体材料,室温下具有高达60 meV 的激子束缚能,以及良好的光学增益,这些优势使得ZnO 成为构建低阈值高效......
会议
n-ZnO/i-Al2O3/p-GaN异质结构
间隔层
厚度优化
紫外电致发光
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