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半导体ZnO 具有优越的材料特性(宽禁带:3.37 eV,高激子束缚能:60 meV)和良好的光学及电学性质,是发展短波长、低阈值发光/激光二极管......
ZnO 是一种宽禁带(3.37 eV)半导体材料,室温下具有高达60 meV 的激子束缚能,以及良好的光学增益,这些优势使得ZnO 成为构建低阈值高效......
宽禁带(3.37eV)半导体ZnO具有高达60meV的激子束缚能,是发展短波长、低阈值发光/激光二极管(LEDs/LDs)的理想候选材料之一。然而,稳定的......