n阱相关论文
此文从最简单最基本的三重扩散3DBiCMOS制作工艺技术入手,分析了BiCMOS制作工艺的特征,重点探讨了双阱BiCMOS工艺处理方法,进行了C......
基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺......