P阱相关论文
此文从最简单最基本的三重扩散3DBiCMOS制作工艺技术入手,分析了BiCMOS制作工艺的特征,重点探讨了双阱BiCMOS工艺处理方法,进行了C......
闩锁效应是体硅CMOS电路中最为严重的失效机理之一，而且随着器件特征尺寸越来越小，使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。以P阱CMO......
本文介绍了一种适用于ＶＤＭＯＳ功率集成电路的双扩散ｐ阱ｎＭＯＳ器件新结构，该结构具有与ＶＤＭＯＳ工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现ｎＭＯＳ处理......
借助软件,模拟并研究了SOI LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,......
