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P型栅GaN基增强型HEMT(p-GaN E-HEMT)是当前GaN基电力电子器件研究中最具应用前景的技术方案之一，已为业界广泛采用，如加拿大GaN......
为了简化后期栅极驱动电路设计、降低成本,工业界对增强型高电子迁移率晶体管的需求与日俱增。采用p型栅结构制备增强型器件的方法......
作为第三代半导体材料的代表,GaN具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子迁移率等优点,因此GaN功率器件被广泛应用于高频、高功率密度......
氮化镓由于其迁移率高、带隙宽(3.4e V)、高击穿电压(3.3MV/cm)和较低的介电常数(9)等优点,是未来先进功率电子技术的最佳半导体材......
