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研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在500℃的氧化行为.经1000h氧化的结果表明:复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi......
本论文研究了Mo3Si-Mo5Si3共晶化合物的中高温氧化行为及机理。利用原位X射线衍射技术分析了氧化物的结构，借助扫描电镜观察了氧化......
研究了Mo3Si-Mo5Si3共晶硅化物在600～1200℃中温氧化行为,分析了中温氧化机理和氧化瘟疫现象.结果表明,在1000℃氧化并发生氧化瘟疫......
研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在700℃空气中1000h的长期氧化行为。结果表明:复合材料氧化1000h后,均未发生pes......
