利用霍尔效应、电流-电压(I-V)、光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质.半绝缘InP的I-V特性明显地依......

利用霍尔效应，电流－电压（I－V），光致发光谱（PL）和光电流谱（PC）研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质，半绝缘InP的I－V特性明显地依赖于掺铁的浓度......