论文部分内容阅读
利用霍尔效应,电流-电压(I-V),光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质,半绝缘InP的I-V特性明显地依赖于掺铁的浓度,掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料中缺陷的形成有影响,用PL和PC分别研究了掺铁半绝缘InP的禁带收缩现象和材料中的缺陷。