用Ａｒ＾＋离子束溅射高纯多晶Ｎｉ靶，在Ｓｉ（１００）基面上沉积１５０ｎｍ的Ｎｉ膜。经４００℃的真实退火１小时后，分别用ＸＲＤ和ＸＰＳ检验了两种大小不同角度上沉积试样的主成相及界面态。当......

用X衍射测定了离子束混合所形成铂硅化物的衍射线宽,并计算出了其晶粒大小.发现混合时的注入剂量和后退火温度都会影响其晶粒大小.......

利用俄歇电子能谱，二次离子质谱，深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和Ｃ－Ｖ法等测量方法，详细研究了Ｐｔ／Ｓｉ和Ｐｔ硅化物／Ｓｉ界面的反应性质，原子结构及杂质／缺陷的分布，讨论了它们......

本文对难熔金属及其硅化物的形成，特性进行了研究。...