三氧化二铟相关论文
锂离子电池（LIBs）具备能量密度高、工作电压高、无记忆效应等优势成为了广泛应用的电化学储能器件（或设备）之一。然而,随着便携式电子......
本文采用水热解法制备出了三氧化二铟(In2O3)纳米晶。X射线衍射和激光拉曼谱实验结果都证实了产物为三氧化二铟纳米晶；X射线衍射和......
光催化氧化技术作为一种新型的环境净化技术已经越来越为人们所关注，当前研究比较充分的TiO2 由于存在太阳能利用率低和量子效......
研究表明In2O3作为新的气敏材料对CO、O3、NO2等有害气体具有特殊的气敏性能，有望克服传统气敏材料存在的问题。为了制备性能优良的......
丙酮因具有溶解性好、活性高等特点而被广泛应用在日常生活、科学研究及工业生产中。然而,由于丙酮有毒且危害环境,应当监测其浓度......
以硝酸铟为起始原料 ,利用高分子网络法合成纯的单相In2 O3纳米晶 .采用X射线粉末衍射 (XRD)和透射电镜 (TEM )等检测手段对所得粉......
通过化学共沉淀法原位合成了新型可见光活性的In_2O_3-CaIn_2O_4复合光催化剂。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、电子能谱及紫外-......
该文着重探讨了以三氧化二铟为基体材料的热线型半导体气敏传感器的气敏特性,通过改变掺杂、烧结温度、表面修饰及结构工艺参数的......
铟(Indium),化学符号:In,是银白色并略带淡蓝色的金属。铟的质地非常软,能用指甲刻痕,且具有延展性,可压成片。铟有微弱的放射性,......
电弧放电法因能在瞬间产生高温使原料气化而成为一种高效的纳米材料制备方法。以金属In为原料,在无催化剂的条件下,采用直流电弧放......
报道了汞膜修饰掺锡三氧化二铟导电玻璃电极的制备及其薄层电化学池的设计，测试限电极和薄层的光、电化学性能，在水溶液中，与基底电极......
采用In2O3超细粉体,掺杂Au和金属氧化物(SiO2,Fe2O3等),按照直热式气敏元件工艺制成珠状气敏元件,通过Al2O3-Pd的表面催化层处理,......
氧化铟作为一种新的气敏材料,有望在一定程度上解决现有气体传感器中存在的选择性差和工作温度高等问题.因此,按照被检测气体的种......
Y2O3 :为喂的申请的 Eu 红黄磷被 降水方法被高temperaturesolid状态 reaction.The In2O3 涂层准备到黄磷被使用并且 XRD 的 thea......
以无机盐为原料，采用微乳液法制备纳米三氧化二铟粉体，研究了微乳液反应条件及反应后处理对纳米氧化铟粉体质量的影响，利用差热一热重......
The sensitivity and selectivity to H2 of a new In203-based gas sensor were improved significantly by surface chemical mo......
基于"相同温度下同一物体所产生的辐射功率相同"这一原理,搭建了一套非接触式微小芯片表面工作温度的测试平台。利用该平台对汉威......
现代侦察和制导技术的发展，要求隐形材料应具有可见、红外和微波等多波段的对抗能力，本文从电磁波在半导体表面层的吸收和反射的机理......
以硝酸铟为起始原料, 利用高分子网络法合成纯的单相In2O3纳米晶. 采用X射线粉末衍射(XRD)和透射电镜(TEM)等检测手段对所得粉体的......
我们用反应蒸发法在氧分压２×１０＾－２Ｐａ衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制衬底温度的......
挥发性有机化合物(VOCs)的传感性能一直是有害气体检测领域的研究热点,不仅因为其对人体健康的负面影响,而且由于其在医疗、环境监......
吡啶甲酸是一种重要的化工中间体,在医药、农药和染料等领域具有广泛应用。目前,化学氧化法、气相催化氧化法和液相催化氧化法是常......
半导体金属氧化物具有化学和热稳定性,电子兼容性、气敏元件设计简单、灵敏度高以及价格低廉等优点,因此被广泛用作气体敏感材料。......
采用液相沉淀法制备纳米In203颗粒。以0．33mol／LInCl3与氨水在70℃下制取氢氧化铟胶体，用正丁醇与胶体共沸蒸馏除去表面的水分和羟基......
以三聚氰胺和四苯基硼酸钠为原料,采用热解法制备了B元素掺杂的g-C3N4催化剂（CNB）,然后将其与In2O3复合,经过煅烧后制备了具有不同配......
TiO2具有光催化性质优异、化学性质稳定、安全无毒和成本低等优点，而在光催化领域受到了研究者们广泛关注。由于TiO2仅能吸收太阳光......
采用溶胶－凝胶法制备了超细Ｉｎ２Ｏ３粉末，研究了产品的特性。实验表明，以１：１盐酸在６０￣８０℃溶解铟，用氨水作沉淀剂，控制ｐＨ５￣８，温度５０℃进行沉淀，所获沉淀在８０￣１００℃干燥后......
首先综合介绍了稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors, DMSs)的基本理论和应用前景,以及In2O3材料的结构、性质和用途,并介......
半导体气体传感器因其具有结构简单、成本低廉、灵敏度高、工艺成熟等优点，使其在可燃气体、毒性气体的检漏报警，环境气体的监控等领......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
本文采用水热法,在ZnO中添加In2O3为前驱物,3mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24h,制备了掺In的ZnO晶体。未掺杂In2O3......
采用水热法,KOH作矿化剂,在ZnO前驱物中添加适量的CoCl2.6H2O,FeCl2.4 H2O,NiCl2.6H2O,In2O3,其中Co∶In∶Zn,Fe∶In∶Zn,Ni∶In∶......
本文采用水热法合成了纯立方铁锰矿相In2O3晶体。以3MKOH为矿化剂,填充度35%,压力40MPa,温度430℃,反应24h,加入适量的In2O3立方铁......
以无机物InCl3.4H2O和NaOH为原料,在遵守热力学限制的前提下,用室温固相化学反应直接合成了半导体金属氧化物In2O3的纳米粉体,用X......
有毒有害难降解有机物引起的环境问题已成为21世纪影响人类生存与发展的重大问题。这些有机污染物很难用传统技术处理,因此,研究与......
研究表明In2O3作为新的气敏材料对CO、O3、NO2等有害气体具有特殊的气敏性能，有望克服传统气敏材料存在的问题。为了制备性能优良的......
