位错效应相关论文
在250和400℃之间用放射示踪剂研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的汞自扩散,发现扩散分布有两个分量,用接触式自动射线显迹法表明体晶样品的尾......
本文简述了位错强化的选择性溶蚀(DESD)作用的微观机理。位错首先是用来测定静态显微构造的。结构动能学方面的评述揭示了位错显微......
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通过应力辅助扩散模型建立了在表面效应和位错效应共同影响下的反应-扩散应力耦合模型,对圆柱形纳米材料在锂离子电池电极中的电化......
