针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题（〉1μm）,采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出......

针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示......