体硅器件相关论文
采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术，通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度，以及适当优化固定组分SiGe层的外延生长工艺，在弛豫Si1-χG......
采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术，通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度，以及适当优化固定组分SiGe层的外延生长工艺，在弛豫Si1-χG......
SOI器件较体硅器件更适合高速低功耗的设计需求，同时表现出更好的尺寸缩小特性，因此作为体硅工艺的替代技术得到了相当的发展，其中SOI......
随着集成电路产业的发展,采用传统的缩小晶体管尺寸的方法来提高晶体管性能越来越受到成本和技术的限制。寻找新材料,新衬底,新器......
瞬时剂量率辐射效应模拟测试存在着试验资源有限、环境电磁干扰强、重复性不高等不利因素。本文开发了瞬时剂量率效应脉冲激光模拟......
石油钻井，航空航天，汽车等工业领域急需在高温下工作的器件和电路。ＳＯＩ技术在高温器件和电路方面有着广泛的应用前景。文章简要介绍了ＳＯＩ技......
