InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料......

在对InGaP／GaAs HBT特性的研究中发现，发射极长边与主对准边垂直([011]方向)和平行([011]方向)放置时，其直流电流增益和截止频率是不......

研究了采用不同溶液制作InP／空气隙的侧向腐蚀工艺，对腐蚀速率、晶向选择性、表面形貌进行了分析；研究了粘附释放工艺；在上述基础上制......

研究了广泛应用于垂直腔面发射激光器（VCSEL）等Ⅲ-Ⅴ族光电子器件制作的侧向腐蚀技术。分别采用C6H807：H2O2溶液、HCl：H3PO4溶液对InAl......