光学邻近校正相关论文
提出了用灰阶编码的二元掩模代替灰阶掩模实现邻近效应精细校正的新方法, 并阐述了新方法的特点。 讨论了灰阶编码掩模与灰阶掩模......
光学邻近校正 (OPC)系统要求一种精确、快速的方法来预测掩模图形转移到硅圆片的成像结果 .基于 Gabor的“降解为主波”方法 ,一个......
描述了一种采用分辨率提高技术后用于可制造性设计的验证方法.该方法的目的是验证设计功能与设计目的是否一致,更精确地说,使刻印......
光学光刻中的邻近效应杰严重降低光刻图形的质量，是妨碍大规模集成电路高集成度发展的一个重要原因，光学邻近校正已成为亚微米光刻掩......
Sigma-C和Mentor Graphics公司共同为IC设计团体带来了曙光。设计者们一直希望他们的设计进入制版工艺前,能在IC布局中发现并修正......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
:随着光学光刻技术向更小特征尺寸加工推进 ,必然要重视提高分辨率的方法。通过强、弱离轴方法的照明变形技术正引起极大的关注。......
在亚波长光刻领域，基于规则插入亚分辨率辅助图形是一种重要的技术。现有的方法需要利用经验改善亚分辨率辅助图形，且不考虑光学邻近......
提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶......
为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术......
不久前．Mentor Graphjcs（明导）公司宣布在北京理工大学光电学院新建一所光电联合实验室。作为双方协议的一部分。明导将资助课程开发......
光刻仿真工具是描述实际工艺的有效工具.利用光刻仿真工具,能够准确地描述由掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻......
在集成电路光刻过程中，利用光刻模拟软件将光刻模拟结果与设计模板进行比较可以预先发现模板设计中的缺陷．由于光刻模拟软件与模板设......
超深亚微米集成电路制造中广泛应用OPC技术来减少掩模图形的光刻畸变,改善成像质量.然而在当前的设计流程中,版图设计者并没有考虑......
论述了近年来光学邻近校正技术的进展，讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法，并分析了邻近效应校正是未来光刻技术中的地......
光刻校正技术已成为超深亚微米下集成电路设计和制光刻校正技术的基本原理以及在IC设计中使用这些技术需要注意的问题,为可制造性......
作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一，双重图形技术（DPT）面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用，其中最突出的因素......
计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近......
在一种新颖的快速光刻模拟算法的基础上，提出了一种新的基于稀疏空间光强计算的二维成像轮廓提取算法，该算法能够根据版图特点合理选......
光学邻近校正（OPC）技术已经成为纳米级半导体工艺技术中的一个关键.目前在OPC中多边形的切分算法均基于配方（recipe）,但随着特征线宽减......
描述了一种采用分辨率提高技术后用于可制造性设计的验证方法，该方法的目的是验证设计功能与设计目的是否一致，更精确地说，使刻印出来......
光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术，而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于po......
提出了一种新颖的利用版图轮廓的超深亚微米光刻工艺建模流程.该流程采用的方法主要包括：首先将代表纯光学模型的传输交叉系数矩阵......
光学邻近校正（OPC）系统要求一种精确、快速的方法来预测掩模图形转移到硅圆片的成像结果。基于Gabor的“降解为主波”方法，一个部分相......
如何提高光刻的分辨率已成为超深亚微米集成电路设计和制造的关键技术.文章简要介绍了分辨率提高技术之一的离轴照明的原理及其构......
光学光刻中的邻近效应校正是实现亚微米光刻的必要手段。作者基于波前加工的思想，提出亚分辨亮暗衬线结合辅助线条实现邻近效应校正......
在处理二维图形时需要耗费大量时间调试配方。为此,提出一种基于光刻模型的切分优化方法。采用纹波抑制的切分方法,并根据空间光强......
从0.18um技术节点开始,半导体制造工艺中广泛采用了所谓“亚波长光刻”技术。在该种技术下生产的集成电路特征尺寸小于光源波长。......
集成电路制造技术一直沿着摩尔定律向前进步,目前最先进的设计版图的关键尺寸(Critical Dimension,CD)已经达到了32nm。但是伴随着......
遵循摩尔定律的轨迹,集成电路的发展进入纳米级时代。光刻是集成电路制造的核心步骤,但是由于光源技术发展的滞后,193纳米波长光刻......
随着集成电路工艺发展到超深亚微米阶段,光刻工艺已经成为限制集成电路技术发展的因素之一。光学邻近效应在当前集成电路制造过程......
随着芯片的集成度越来越高,特征尺寸越来越小,集成电路已经进入纳米级时代。这必将对集成电路的制造技术提出更高的要求。由于光源......
在摩尔定律的驱动下,集成电路的晶体管密度每两年翻一倍,在保持生产成本不变的前提下,提高电路的性能,降低功耗。在过去的五十多年......
近半个世纪以来,集成电路的发展一直按照摩尔定律给出的轨迹不断向前。然而,不断增大的芯片集成度和越来越小的特征尺寸要求,使得......
指导集成电路生产发展四十余年的摩尔定律并非物理定律,而是人类创造力的定律,不断发展的科学技术保证了它的持续有效性,尤其是集......
邻近效应是限制光刻系统分辨力的一个重要因素，它也限制了激光直写在亚微米和亚半微米光刻中的应用。分析了激光直写邻近效应产生的......
使用光刻仿真工具模拟掩模图形到硅圆片的转移成像结果 ,可以分析集成电路在工艺规则下产品的可靠性和部分电学特性 基于Gabor的“......
目前，系统设计都采用自顶向下的设计方法，而标准单元库在该设计方法中起到了重要的作用。当半导体工业进入到纳米时代后，标准单元的物......
集成电路设计发展到超深亚微米,其特征尺寸越来越小,并趋近于曝光系统的理论极限,光刻后硅片表面成像将产生严重的畸变,即产生光学......
随着集成电路的工艺发展到超深亚微米阶段，集成电路的复杂度越来越高，特征尺寸也变的越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光......
超深亚微米集成电路制造中广泛应用OPC技术来减少掩模图形的光刻畸变,改善成像质量。然而在当前的设计流程中,版图设计者并没有考......
半导体制造工艺从0.18μm技术节点开始,“亚波长光刻”技术被广泛采用。在亚波长光刻下,由于掩模制造、光刻和蚀刻过程中光的衍射......
当集成电路生产工艺发展到纳米级时，利用现有的曝光设备(248nm和193nm)，由于所谓的光学邻近效应，集成电路制造厂商已经无法制造出满足......
光学光刻中的邻近效应校正是实现亚微米光刻的必要手段。作者基于波前加工的思想 ,提出亚分辨亮暗衬线结合辅助线条实现邻近效应校......
提出了用灰阶编码的二元掩模代替灰阶掩模实现邻近效应精细校正的新方法 ,并阐述了新方法的特点。讨论了灰阶编码掩模与灰阶掩模的......
论述了近年来光学邻近校正技术的进展，讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法，并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地......
