采用三相结构制作了491(V)×384(H)元内线转移 CCD 摄像器件。该器件采用埋沟和四层多晶硅技术,水平分辨率为250TV 线,动态范围达4......

成功地研制了７５６×（Ｈ）×５８１（Ｖ）元内线转移ＣＣＤ摄像器件。该器件采用三相结构，埋沟和四层多晶硅技术，文章详细介绍了该器件的工作原理，设计考虑......