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为探究高压交联聚乙烯(XLPE)电力电缆在运行一段时期后的绝缘性能变化表征及老化程度判别依据,对新电缆、实际运行2a、5a、9a和12a......
采用超强电场放电的极端物理手段,冲破直流和脉冲临界击穿电场强度的取制,命名电场强度达到100 kV/cm,电子获得平均能量9 eV以上。形......
作为第三代半导体材料,碳化硅(SiC)具有带隙宽、电子饱和速度大、击穿电场强度和热导率高等特性;而一维纳米结构的SiC纳米线,具有了更......
对 Si O2 掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻非线性电学性质进行了研究 ,并对其微观结构进行了电镜扫描 ,且对其晶界势垒高......
聚合物纳米复合材料因其优良的介电性能在电介质绝缘领域得到了广泛的应用.为获得性能优良的绝缘纸,将纳米氮化铝(AlN)添加到芳纶1......
作为爆电电源的多孔PZT95/5铁电陶瓷具有极为重要的工程应用背景,但它在强电场作用下易发生电击穿失效,从而影响其放电效率,甚至造......
为发展高光效的实用新型无极电光源,近来运用微波能量馈人硫氢混合气中放电得到了实现(1.2)。这种光源具有类似日光的光谱和高的生......
研究了不同温度下表面氟化对聚醚酰亚胺(PEI)薄膜表面形貌、微观结构、耐热性能和绝缘性能的影响。结果表明,氟化后,在PEI薄膜表面......
1SiC半导体元件的优势目前,大功率半导体往往采用硅(Si)材料,但Si的开发已达到物理极限,要再大幅度提高其性能较困难。碳化硅(SiC)材料的......
研究了Sb2O3和In2O3对ZnO压敏电阻器性能的影响,适当添Sb2O3和In2O3可全面提高ZnO压敏电阻器的性能,使其击穿电场强度达326V/mm,漏电流......
本文测定了Cu、Cu-Te、Ca-Se、Cu-Te-Se-Fe、Cu-Cr等触头材料在300~1600K温度范围内的耐电压强度。测定结果表明,对于不同的触头材......
氧化镓(β—Ga2O3)单品是一种第四代超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.8~4.9eV,具有独特的紫外透过特性(吸收截止边~260nm);击穿电场强度高......
本文是探讨高分子绝缘材料击穿电场强度与化学结构和固体结构之间的关系,文中研讨了击穿电场强度与极性基、分子量、分子形状交联......