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分子流生长模型相关论文
化学气相沉积法制备六方氮化硼单晶及薄膜的研究
六方氮化硼(h-BN)是一种具有与石墨相似结构的层状材料,也是一种具有广泛应用前景的绝缘材料,其带隙为5.2-5.97 eV。h-BN中电荷杂......
学位
六方氮化硼(h-BN)
化学气相沉积法(CVD)
分子流生长模型
形貌演变
刻蚀
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