化学气相沉积法(CVD)相关论文
以Sn和SnO为源材料,化学气相沉积法中通过控制反应物配比及载气中的氧含量等宏观实验条件,实现了SnO2一维纳米结构的控制生长,成功......
单壁碳纳米管的独特性能使其成为一种有着极大应用前景的新兴纳米材料,本文主要介绍了催化剂、裂解温度、载气等因素对化学气相沉......
氮化硅薄膜刻蚀是制造微电子器件的关键技术之一,刻蚀的效果直接影响电子元器件的性能。采用反应离子法对氮化硅薄膜进行了刻蚀,并......
对化学合成MoS2纳米材料的工艺流程进行了研究,从技术、经济和环境保护等的角度评估了各种工艺流程。研究结果证明,化学气相沉积法......
对炭素纳米材料的合成方法做了简要介绍，其中包括化学气相沉积、燃烧法、乳液聚合以及电弧放电等方法。合成方法涉及有序化过程和软......
文章以Ga／Ga203为掺杂源，通过化学气相沉积法（chemical vapor deposition，CVD）实现了ZnTe：Ga纳米线的合成，利用X射线衍射（X-ray diffractio......
介绍了化学气相沉积法（CVD）6．5%Si钢连续渗硅生产线及处理工艺进展状况，比较了6．5％Si与3％Si的磁性，简述硅钢原板的成分要求，添加Cr、Al对高......
随着半导体器件尺寸的减小,传统半导体工艺面临着巨大挑战,同时芯片的散热问题和量子效应成为影响器件性能的关键因素。为了解决这......
研究了对碳分子筛的孔结构的控制,尤其是对微孔和中孔的控制.采用化学气相沉积法(Chemical vapordeposition,简称CVD)实现对微孔结......
石墨烯具有十分优异的性能——高电子迁移率、大比表面积、优良透光性、高热导率、高杨氏模量和硬度,但是石墨烯却是零带隙的半金......
以氧化钼(MoO3)、硫(S)和氯化铌(NbCl5)作为前驱体,利用一锅两步化学气相沉积法,在SiO2基底上大面积地生长连续性好、均匀负载的Nb......
本文介绍了ZnSe晶体的制备方法及其重要应用背景,系统地总结了化学气相沉积法(CVD)制备ZnSe过程中产生的各类缺陷,包括云雾、孔洞......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
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为了实现碳纳米材料的大面积连续制备,采用卷对卷化学气相沉积法,通过等离子体催化乙炔在Cu箔表面裂解,制备均匀连续的碳纳米纤维(......
以CH4为碳源，金属Ni为催化剂，采用化学气相沉积法（CVD）在有序宏观基体材料（SiO2纤维，Al2O3纤维）上制备出纳米碳纤维。利用场发射扫描电镜（F......
介绍了化学气相沉积法(CVD)制备ZnS过程中,CVD工艺对材料相关力学性能的影响和控制方法。通过X射线衍射分析、扫描电镜和金相显微......
2010年以来,CVD合成技术有了很大的提高.本文结合NGTC和国内外其他机构对CVD合成钻石研究成果,对不同公司以及不同方法,不同颜色的......
石墨烯是由sp2杂化的碳原子键合而成的具有六边形蜂窝状晶格结构的二维原子晶体,其具有电学、力学和光学等方面一系列优良性能,使......
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六方氮化硼(h-BN)是一种具有与石墨相似结构的层状材料,也是一种具有广泛应用前景的绝缘材料,其带隙为5.2-5.97 eV。h-BN中电荷杂......
在聚甲基丙烯酸甲酯（polymethyl methacrylate,PMMA）辅助法转移化学气相沉积法生长的石墨烯过程中,PMMA是一种不可或缺的保护材料,为......
锡基材料作为锂离子电池负极材料具有994mAh/g的高理论容量,约为石墨理论容量（372mAh/g）的三倍,且具有较低的嵌入电位以及低密度,成......
炭材料是一种理想的高温材料,但是其在高温下容易氧化,极大地制约了它的应用范围和使用寿命。为提高炭材料从400℃至1500。C全温区......
静压法是当前工业合成金刚石的主要的合成手段.合成工业用金刚石主要采用静压法中的静压触媒法.合成宝石级金刚石主要采用静压晶种......
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