研究了 Si O2 掺杂对 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5 压敏陶瓷的影响。实验结果表明 ,Si O2 可以十分显著地影响Sn O2 - Zn O- Nb2 O5 压敏......

依据缺陷势垒模型选取Ｚｎ２＋和Ｎｂ５＋复合掺杂的ＳｎＯ２陶瓷进行研究，测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系曲线等电子性质。......

依照缺陷势垒模型 ,将压敏电阻器视为双向导通的二极管 ,应用半导体理论对低电压情况下的电流 -电压关系数据进行了处理 ,得到了 S......

依照缺陷势垒模型，将压敏电阻器视为双向导通的二极管，应用半导体理论对低电压情况下的电流－电压关系数据进行了处理，得到了ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏材料的......

研究了ＳｉＯ２掺杂对ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏陶瓷的影响。实验结果表明，ＳｉＯ２可以十分显著地影响ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏陶瓷的物理和电子性质。掺杂范围为０．０５％￣０．４０％（摩尔分数）时，材料密度在６．２１￣６．５６ｇ／ｃｍ＾３之间变......