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化学气相反应过程相关论文
ZnO材料的MOCVD生长、掺杂及相关物性研究
氧化锌作为一种重要的化合物半导体材料,具有良好的物理特性:直接带隙、室温禁带宽度3.37eV、激子束缚能60meV,有望在短波长发光二极......
学位
ZnO材料
MOCVD设备
C团簇
化学气相反应过程
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