ZnO材料相关论文
ZnO材料因其具有油水分离效率高、制备工艺简单、费用低廉等特点,在油水分离领域具有重要的作用。采用分子动力学方法研究了ZnO材料......
实现ZnO材料稳定和可重复的p型掺杂是其能够在光电器件,诸如LED、激光及自旋电子器件等,中广泛应用的壁垒之一.N原子因与O原子......
ZnO作为一种宽带隙(3.37eV)半导体材料,在室温下具有较高的激子束缚能(60meV),现已在发光二极管和激光器件等领域进行了广泛研究......
会议
基于密度泛函理论,系统研究了Mn,Fe共掺ZnO的电子和磁学性质,以从理论上提供制备高居里温度的ZnO稀磁半导体的方法.通过对态密度的......
ZnO作为一种常见发光材料,应用极为广泛,是一种稀土离子掺杂进行发光调制的优异的本底材料。本文对ZnO的发光特性、发光机理及稀土离......
氧化锌作为一种重要的化合物半导体材料,具有良好的物理特性:直接带隙、室温禁带宽度3.37eV、激子束缚能60meV,有望在短波长发光二极......
掺杂是改变半导体物理性质的有效手段,将稀土离子掺杂到ZnO材料中可以引起ZnO的能带结构和载流子浓度的改变,同时利用稀土离子的4f......
在这篇文章中讲述ZnO欧姆电极的制备与ZnO:Al/p-Si异质结紫外光电特性研究,还要介绍基于Si衬底的ZnO薄膜MSMUV增强光电探测器的研......
ZnO是一种带隙宽度为3.37eV的半导体光催化材料,它只在紫外区具有较强的光催化活性。因此,拓展ZnO的光响应范围,提升其光催化效率......
论文以块体ZnO、掺杂Ba原子(Zn1-xBaxO)、纳米结构ZnO(薄膜、纳米线、纳米管)材料为研究对象,采用第一性原理计算对其电子结构和光学特......
现如今,科学技术在各个领域飞速发展为适应时代的需求,深入对物质的认识、开发新能源、制备新材料具有重要作用。在这一过程中,由......
ZnO是一种宽禁带半导体材料,在紫外及紫蓝光发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等光电器件方面具有很大的潜在应用前景.近年来,纳米Z......
随着计算机技术和计算物理学的发展,利用计算机模拟和预测材料的物理和化学性质越来越成熟,第一性原理的理论计算方法已经成为当今物......
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙半导体材料,具有独特的物理和化学性质,在发光二极管、气体传感器和太阳能电池等领域有着广阔的应用前景......
当今社会,伴随着随着互联网通信技术的发展,物联网时代即将来临,人民的生活向着数字化、信息化发展,而传感器是实现信息数字化的重......
气体传感器广泛应用于农业、居家生活及空气质量监测等各领域。随着微电子技术的发展,气敏元件的小型化和集成化成为传感器的发展方......
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理模拟计算方法,并结合平面波赝势方法,运用VASP软件包首先分为四个步骤优化了ZnO材料结构:(1)......