以硫化钨(WS2)水溶液为原料、氩气为携载气体、利用化学气相沉积(CVD)法在硅衬底上制备了二维WS2薄膜,并研究了其形貌、晶体结构、......

采用化学气相沉积法(CVD)制备高质量的纳米二硫化钼薄膜,并对纳米二硫化钼薄膜在形貌和尺寸调控方面开展了探究工作。实验研究表明......

通过化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上制备石墨烯薄膜,研究了生长温度对薄膜的影响以及石墨烯生长机理。采用傅里叶变换红外光谱(FTI......

少数层MoSe_2材料作为一种新型半导体材料,具有较高的光电转换效率。综述了单层或数层MoSe_2二维材料的特性,简述了MoSe_2二维纳米......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

简单介绍了石墨烯优异的电学特性及主要国家的发展规划。详细论述了石墨烯材料制备技术的发展现状,如SiC外延法和CVD法的优缺点和......

为了探究高性能的锂电池负极新型碳基材料,通过高温退火碳包铜纳米颗粒材料制备得到空心碳纳米球,该材料的平均粒径为20 nm,这比其......