区熔单晶相关论文
目前中照后的区熔单晶一般都在８５０°Ｃ进行热处理以消除辐照损伤并使〈’３０〉Ｓｉ嬗变形成的磷原子达到电激活，但一些３英寸的Ｎ〈１１１〉常规无旋涡原始......
该文报道了激光刻槽电池研究的新进展。在对电极设计以及槽扩散后处理，化学镀等工艺进行改进后，电池效率及稳定性都得到改进，采用区熔......
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该文研究了利用勾形磁场的拉晶技术。通过改变磁场强度及埚转速度，可将氧的轴向梯度控制在中氧范围内的±１ｐｐｍａ内，利用分段拉晶技术可以拉......
主要针对高频线圈于单晶生长过程中，在高频电流及棒体的高温作用下，产生的附加扭矩，改变线圈的设计外形，进行了原因研究、理论计算，并对......
主要介绍了用气相掺杂的方法制备FZ单晶的基本技术条件和设计思路。采用此技术可使气相掺杂时既快速准确地实现目标电阻率。对单晶......
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本文综述了目前多晶硅中施主杂质含量的定量分析方法,方法主要包括低温傅立叶红外光谱法、二次离子质谱法,并对每种方法做了介绍及......
