半导体激光器件相关论文
本文对阐述了ZnO纳米晶薄膜的激光分子束外延(L-MBE)制备工艺,研究分析了纳米晶粒对激子的量子限域效应以及薄膜的光泵浦紫外激光......
1引言半导体激光器由于具有体积小、重量轻、效率高等众多优点，诞生伊始一直是激光领域的关注焦点，广泛应用于工业、军事、医疗、通......
从半导体激光器产生的热量在热沉中的扩散入手 ,对列阵单元器件间的热相互作用进行了分析 ,提出了该过程是通过热流的扩散而发生作......
本论文在简要介绍GaSb基化合物半导体激光器及其器件工艺的发展现状后，分析讨论了目前GaSb基材料的刻蚀工艺存在的问题，并将其分为两......
硅是最重要的微电子材料,它具有很好的电子特性和易加工特性.但硅的光学特性远不如其电子特性,因此在制造发光二极管和半导体激光......
硅是最重要的微电子材料，它具有很好的电子特性和易加工特性。但硅的光学特性远不如其电子特性，因此在制造发光二极管和半导体激光器......
讨论了半导体激光放大器作为前置光放大器的噪声特性及其光学滤波，并提出最佳滤波带宽的概念，实验结果表明，采用具有光学滤波器的前置......
据报道,山东浪潮华光公司已经发明成功民用半导体激光器件,工艺性能稳定,产品投入规模生产阶段。如今,该企业真正拥有了世界顶尖的......
本文是可见光激光二极管开发现状与市场的第三部分,主要介绍600nm波段的可见光LD....
硅是最重要的微电子材料,它具有很好的电子特性和易加工特性。但硅的光学特性远不如其电子特性,因此在制造发光二极管和半导体激光......
分析了半导体光源频率噪声以及光放大器噪声对平均孤子传输系统容量产生的共同影响，前者将使系统的通信容量进一步降低，并据此解释了......
硅是最重要的微电子材料，它具有很好的电子特性和易加工特性。但硅的光学特性远不如其电子特性，因此在制造发光二极管和半导体激光器......
１．３μｍ量子阱ＬＤ的工艺研究和特性分析金锦炎，李同宁，刘涛，李云樵，王任凡，刘自力（武汉电信器件公司）１引言１．３μｍ波长激光器作为光通信光源，正由有致冷向......
