磷化铟材料相关论文
本文通过光学显微镜、原子力显微镜、微拉曼光谱对基于ART机理的在纳球光刻GaAs衬底孔洞区异质外延InP成核层开展研究.结果显示InP......
随着应用领域的不断扩大,对材料的质量提出了越来越高的要求,为了提高利用效率和适应大规模集成电路的要求,对晶片的尺寸也提出了越来......
InP材料的一系列优越特性使其已经成为微电子和光电子器件领域中不可缺少的半导体材料。在III-V族化合物半导体中,由于InP的堆垛层......