单刀双掷(SPDT)开关相关论文
随着无线通信技术的发展,高数据传输速率,高集成度,低成本的射频前端电路成为近年来学术界和工业界研究的热点。工作在毫米波频段......
学位
基于GaAs PHEMT ED25B与薄膜工艺设计了基于倒装应用的DC~26 GHz的单刀双掷(SPDT)开关。首先对倒装芯片与传统的正装芯片进行比较,......
基于WIN 0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,针对大相位移相器容易在宽带情形下出现的性能恶化问题,采用ADS2014仿......
采用Ga As衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺研制了一款6~10 GHz多功能微波单片集成电路(MMIC)。其集成了4个......
基于GF 8HP 0.12μm BiCMOS工艺设计并实现了一款应用于相控阵系统的具有低幅度均方根(RMS)误差的单片集成5～40 GHz 5 bit数控衰减......
